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日本yamashitadenso太陽模擬器高壓氙燈光源 YSS-80S~400A 采用高壓氙燈作為光源，用照度為1 SUN的光照射測量樣品，其光譜分布與地面接收到的太陽光（AM1.5G）相似。

日本nasgiken金屬物質(zhì)自動回收設(shè)備NAC系列 NAC-302 ●硅片的處理過程是自動化的，從氣相分解到污染物回收再到收集樣品的稀釋。 ●疏水性和親水性晶圓均可收集（斜面收集只能收集疏水性晶圓）。 ●當(dāng)需要同時對大量晶圓進(jìn)行采樣和分析時，這是一種極其強大的設(shè)備。 ●具有對回收的藥液進(jìn)行計量和稀釋的功能，防止晶圓上殘留的藥液繼續(xù)作業(yè)。

日本nasgiken微量金屬污染物自動回收裝置 NAC-302 ●硅片的處理過程是自動化的，從氣相分解到污染物回收再到收集樣品的稀釋。 ●疏水性和親水性晶圓均可收集（斜面收集只能收集疏水性晶圓）。 ●當(dāng)需要同時對大量晶圓進(jìn)行采樣和分析時，這是一種極其強大的設(shè)備。 ●具有對回收的藥液進(jìn)行計量和稀釋的功能，防止晶圓上殘留的藥液繼續(xù)作業(yè)。

日本進(jìn)口Nasgiken批量晶圓整體表面蝕刻設(shè)備 BEM-310 該設(shè)備使用臭氧和HF對硅晶片的整個表面進(jìn)行體蝕刻。 氣體蝕刻不會在晶圓表面產(chǎn)生水滴。 蝕刻期間晶圓中的污染物不會轉(zhuǎn)移到其他位置。 這是在潔凈室中使用的獨立式設(shè)備。

日本nasgiken硅晶片氣體蝕刻設(shè)備潔凈室裝置 BEM-310 該設(shè)備使用臭氧和HF對硅晶片的整個表面進(jìn)行體蝕刻。 氣體蝕刻不會在晶圓表面產(chǎn)生水滴。 蝕刻期間晶圓中的污染物不會轉(zhuǎn)移到其他位置。 這是在潔凈室中使用的獨立式設(shè)備。

nasgiken日本微量金屬物質(zhì)回收裝置SC系列 SC-3100/SC-8100/SC-9100 ●連接至PC以創(chuàng)建各種收集模式，并從硅晶片的表面和側(cè)面（斜角部分）收集（樣品）微量金屬污染物。 ●設(shè)備安裝方便，不需要太多外部資源，不占用太多空間。 ●由于工作是機械完成的，因此不需要操作員技能，任何人都可以輕松取樣。

日本進(jìn)口nasgiken微量金屬污染物采樣裝置 SC-3100/SC-8100/SC-9100 ●連接至PC以創(chuàng)建各種收集模式，并從硅晶片的表面和側(cè)面（斜角部分）收集（樣品）微量金屬污染物。 ●設(shè)備安裝方便，不需要太多外部資源，不占用太多空間。 ●由于工作是機械完成的，因此不需要操作員技能，任何人都可以輕松取樣。

日本nasgiken搜集硅晶片金屬污染物回收裝置 SC-3100/SC-8100/SC-9100 ●連接至PC以創(chuàng)建各種收集模式，并從硅晶片的表面和側(cè)面（斜角部分）收集（樣品）微量金屬污染物。 ●設(shè)備安裝方便，不需要太多外部資源，不占用太多空間。 ●由于工作是機械完成的，因此不需要操作員技能，任何人都可以輕松取樣。